国内首条8英寸IGBT专业芯片线投产打破国外技术垄断
20日,中国南车株洲所宣布,公司具完全自主知识产权的国内首条、亦是全球第二条8英寸IGBT专业芯片线在株洲全面建成投产,首期预计实现年产12万片8英寸IGBT芯片,配套生产100万只IGBT模块,年产值近20亿元。这意味着,我国成功打破国外公司在高端IGBT芯片技术上的垄断,并实现了产业化突破。
IGBT是电力电子第三代器件,它可控制并提供大功率的电力设备电能变换,有效提升设备能源利用率、自动化和智能化水平。初步估算,若将IGBT等电力电子技术应用到全国20%的电机中,可使电能使用效率提高15%—30%,每年节电2000亿千瓦时,相当于两个三峡电站的年发电量。IGBT的研发、制造、应用成为衡量一个国家科技创新能力和高端制造业水平的重要标志。
中国工程院院士、中国南车株洲所总经理丁荣军介绍,2012年,公司开始在株洲投资15亿元来建设这条8英寸IGBT专业芯片生产线,为的是攻克1200伏以上中高压IGBT技术及产业化难题,打破国外公司在高端IGBT芯片关键技术上的垄断。IGBT芯片从6英寸发展到8英寸,不仅单位时间芯片产能翻倍,还有着“质”的飞跃:如它改变了原有芯片批量化生产模式,实现了单片生产,能确保产出芯片在质量与性能上更优越,材料成本则至少可降低20%。8英寸IGBT芯片拥有128个指甲盖大小的“元胞”,每个元胞可承载电流由原来的50安培提高到了75安培,增大了50%的负载,芯片被封装成模块,应用于设备后,损耗更少,可带来后续诸多良好的环保节能效应。
截至目前,中国南车先后累计投入超过30亿元,在IGBT芯片设计、封装测试、可靠性试验、系统应用上攻克了30多项重大难题,掌握了IGBT芯片设计及封装成套关键技术,建立了完整的IGBT规模化、专业化生产工艺体系,成功研制出从650伏到6500伏高功率密度IGBT芯片及模块,形成了IGBT的完整产业链。公司是国内唯一自主掌握集IGBT芯片、模块、组件、应用全套技术的企业。
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